4月12日消息，三星原计划为Galaxy S25系列搭载自主研发的3nm芯片Exynos 2500，但由于三星代工部门的3nm良率未达标，Galaxy S25系列不得不全系采用高通骁龙8 Elite SoC。如今，三星押注下一代旗舰平台Exynos 2600，这颗芯片首发采用三星2nm工艺制程。据媒体报道，三星2nm工艺制程良率已达40%，预计在今年11月正式启动Exynos 2600的量产工作，Galaxy S26系列将会全球首发Exynos 2600。值得注意的是，芯片制造商通常需达到70%-80%的
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苹果 高通 三星率 商用 2nm 芯片 量产 Exynos 2600 Galaxy S26
3月13日消息，三星未能按时发布Exynos 2500，Galaxy S25系列被迫全部搭载高通骁龙8 Elite芯片。据媒体报道，三星已将工作重心转向下一代旗舰平台Exynos 2600，这颗芯片首发三星2nm工艺制程，计划在5月份进入原型量产阶段，Galaxy S26系列将会首发搭载，这是全球首款2nm手机芯片。据爆料，Exynos 2600基于三星SF2工艺制造，这是三星第一代2nm制程，较第二代3GAP 3nm制程，SF2在相同计算频率和复杂度情况下可降低25%功耗，相同功耗和复杂度情况下可提高1
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苹果 高通 三星 Exynos 2600 首款 2nm芯片
2月8日消息，刚刚上市不久的三星Galaxy S25系列在全球范围内使用高通骁龙8 Elite芯片，因为三星自己的Exynos 2500 SoC存在良率问题。据媒体报道，三星电子为下一代旗舰平台Exynos 2600投入了大量资源，以确保其按时量产。报道指出，Exynos 2600使用三星2nm工艺制程，试生产良率约为30%左右，高于内部预期，该公司计划在下半年进一步稳定Exynos 2600的量产工艺，Q4开始量产，明年1月登场的Galaxy S26系列将首发搭载，如果计划顺利实施的话，Exynos 2
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三星 2nm Exynos 2600
11 月 27 日消息，三星发言人昨日（11 月 26 日）通过科技媒体 Android Headline 发布声明：“所谓的 Exynos 2600 芯片取消量产传闻并不属实，是毫无根据的谣言”。IT之家曾于 11 月 25 日报道，消息源 @Jukanlosreve 在 X 平台曝料后，包括 Gizmochina 在内的多家主流媒体也跟进报道，消息称从韩国芯片设计行业渠道获悉，三星正减少 2025 年的订单，因此推测三星将彻底取消量产 Exynos 2600 芯片计划。此前消息称三
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三星 SoC Exynos 2600
11 月 25 日消息，消息源 @Jukanlosreve 于 11 月 22 日在 X 平台发布推文，曝料称从韩国芯片设计行业渠道获悉，三星正减少 2025 年的订单，因此推测三星将彻底取消量产 Exynos 2600 芯片计划。此前援引 DigiTimes 报道，称 3nm 工艺上遇到的困境，并没有击垮三星，反而让三星“越挫越勇”，正积极布局 2nm 芯片，力图在 2026 年实现强势反弹。消息称三星正积极争取来自高通和英伟达的大规模订单，目标是 2026 年初量产。而在此之前，三星计划在 2025
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三星 Exynos 2600 芯片 良率
CMOS集成电路(CMOS IC)和电池供电产品的制造商需要测量静态(或“待机”)电源电流用于验证生产测试质量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏电电流测量过程被称为IDDQ测试。此测试要求在IC处于静态条件下测
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2600 数字源表 IDDQ
吉时利仪器于2005年发布了配备板载测试脚本处理器(TSPTM)的测试和测量仪器——首款2600系列源表。TSP基于消息的编程很像SCPI，还具有通过用户定义的测试脚本实现测试序列/流的控制、决策和仪器自我管理等
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TSP 3700 万用表 2600 开关测量
可配置功率电平 :ndash; From 200V to 3kVndash; From 1A to 100Abull; 动态范 围宽:ndash; From mu;V to 3kVndash; From fA to 100Abull; 电容-电压方法:ndash; plusmn;400V多 频C-Vndash; 200V斜 坡速率
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2600 PCT 4200 参数曲线 跟踪仪
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